Яндекс.Метрика
Вопросы о наличии, цене, фасовке и характеристиках
принимаем ТОЛЬКО по почте info@npfatlas.ru
Работаем только с юр. лицами и ИП. Заявки на info@npfatlas.ru
Контакты

BSP75G, МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 1.4 А, 60 В, 0.55 Ом, 10 В, 2.1 В

картинка BSP75G, МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 1.4 А, 60 В, 0.55 Ом, 10 В, 2.1 В
130 руб.
Производитель
Diodes Incorporated
Заказать
  • Полное описание

The BSP75G is an IntelliFET™ N-channel self-protected low-side MOSFET features monolithic overtemperature, overcurrent, overvoltage (active clamp) and ESD protected logic level power MOSFET intended as a general purpose switch.

• Short circuit protection with auto restart
• Overvoltage protection (active clamp)
• Thermal shutdown with auto restart
• Overcurrent protection
• Input protection (ESD)
• High continuous current rating
• Load dump protection (actively protects load)
• Logic level input

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Рассеиваемая Мощность2.5Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Напряжение Истока-стока Vds60В
Непрерывный Ток Стока1.4А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.55Ом
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Пороговое Напряжение Vgs2.1В
Вес, г0.14