FGH40T100SMD, Транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт, [TO-247-3]
![картинка FGH40T100SMD, Транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт, [TO-247-3]](/upload/iblock/abb/abbbad84af99a8f3fa028d533d791b94.jpg "картинка FGH40T100SMD, Транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт, [TO-247-3] являющийся официальным дистрибьютором в России")
300 руб.
- Производитель
- Fairchild Semiconductor
- Полное описание
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
Технические параметры
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1000 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 80 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 333 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 29 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 285 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+175 |
| Корпус | to-247a03 |
| Вес, г | 7.5 |