HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]
75 руб.
- Производитель
- Fairchild Semiconductor
- Полное описание
Технические параметры
| Технология/семейство | ufs |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 14 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 56 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 60 |
| Рабочая температура (Tj), C | -40…+150 |
| Корпус | TO-263AB |
| Вес, г | 2.5 |


![картинка HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK] являющийся официальным дистрибьютором в России картинка HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]](/upload/iblock/a9c/a9cbb105f7476e622adec3c229973105.jpg)