FGA40N65SMD, Транзистор IGBT Chip N-CH 650В 80А 349Вт [TO-3PN]
![картинка FGA40N65SMD, Транзистор IGBT Chip N-CH 650В 80А 349Вт [TO-3PN]](/upload/iblock/7cc/7cccc3d81b8478dc54c3c7df638bd9fb.jpg "картинка FGA40N65SMD, Транзистор IGBT Chip N-CH 650В 80А 349Вт [TO-3PN] являющийся официальным дистрибьютором в России")
324 руб.
- Производитель
- Fairchild Semiconductor
- Полное описание
Технические параметры
| Технология/семейство | field stop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 80 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 349 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 12 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 92 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+175 |
| Корпус | TO-3PN |