HGTG18N120BND, Транзистор
460 руб.
- Производитель
- Fairchild Semiconductor
- Полное описание
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
Технические параметры
| Технология/семейство | npt |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 54 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 390 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 23 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 170 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+150 |
| Корпус | to-247 |