HGTG30N60B3, 60A/600V N-
499 руб.
- Производитель
- Fairchild Semiconductor
- Полное описание
The HGTG30N60B3 is a PT IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. It is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS, solar inverter and power supplies.
• Short-circuit rating
• 1.45V @ IC = 30A Low saturation voltage
• 90ns Fall time @ TJ = 150°C
• 208W Total power dissipation @ TC = 25°C
Технические параметры
| Технология/семейство | ufs |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 60 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 220 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 208 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 36 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 137 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+150 |
| Корпус | to-247 |