HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]
Вопросы о наличии, цене, фасовке и характеристиках
принимаем ТОЛЬКО по почте info@npfatlas.ru
Работаем только с юр. лицами и ИП. Заявки на info@npfatlas.ru
Контакты
HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]

HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]

картинка HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]
120 руб.
Производитель
ON Semiconductor

Цена 120 руб. за 1 шт

Количество
Заказать
  • Полное описание
IGBT, 1200V, 21A, Transistor Type: NPT, Transistor Polarity: N, Voltage, Vces: 1200V, Current, Ic Continuous a Max: 21A, Voltage, Vce Sat Max: 2.7V, Power Dissipation: 167W, Case Style: TO-247, Termination Type: Through Hole, Temperature, Operating Range: -55C to +150C
Корпус TO-247-3

Технические параметры

Технология/семействоnpt
Наличие встроенного диодада
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Максимальный ток КЭ при 25C, A21
Импульсный ток коллектора (Icm), А40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт167
Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс160
Рабочая температура (Tj), C-55…+150
Корпусto-247
Вес, г7.5