HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]
120 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Цена 120 руб. за 1 шт
Количество- Полное описание
IGBT, 1200V, 21A, Transistor Type: NPT, Transistor Polarity: N, Voltage, Vces: 1200V, Current, Ic Continuous a Max: 21A, Voltage, Vce Sat Max: 2.7V, Power Dissipation: 167W, Case Style: TO-247, Termination Type: Through Hole, Temperature, Operating Range: -55C to +150C
Корпус TO-247-3
Корпус TO-247-3
Технические параметры
Технология/семейство | npt |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
Максимальный ток КЭ при 25C, A | 21 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 40 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 167 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 22 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 160 |
Рабочая температура (Tj), C | -55…+150 |
Корпус | to-247 |
Вес, г | 7.5 |