IGW40T120 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)
![картинка IGW40T120 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)](/upload/iblock/fd9/fd99d6d8e1e70b6bfd2bc60c483c7d5d.jpg "картинка IGW40T120 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314) являющийся официальным дистрибьютором в России")
290 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
Цена 290 руб. за 1 шт
Количество- Полное описание
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технические параметры
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 75 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 105 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 270 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 48 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 480 |
| Рабочая температура (Tj), C | -40…+150 |
| Корпус | pg-to-247-3 |
| Вес, г | 7.5 |