IHW30N160R2 (H30R1602), Транзистор 1600V 60A 312W [TO-247-3]
250 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
Цена 250 руб. за 1 шт
Количество- Полное описание
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технические параметры
Технология/семейство | npt trench and field stop |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1600 |
Максимальный ток КЭ при 25C, A | 60 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 90 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.1 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 312 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 525 |
Рабочая температура (Tj), C | -40…+175 |
Корпус | pg-to247-3 |
Вес, г | 7.5 |