IHW20N120R3 (H20R1203), Транзистор 1200V 40A 310W [TO-247-3]
![картинка IHW20N120R3 (H20R1203), Транзистор 1200V 40A 310W [TO-247-3]](/upload/iblock/ed5/ed52b3efd4e28439b49efcef3d2a0d2c.jpg "картинка IHW20N120R3 (H20R1203), Транзистор 1200V 40A 310W [TO-247-3] являющийся официальным дистрибьютором в России")
190 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
Цена 190 руб. за 1 шт
Количество- Полное описание
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технические параметры
| Технология/семейство | trench |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 40 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 60 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 310 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 387 |
| Рабочая температура (Tj), C | -40…+175 |
| Корпус | pg-to247-3 |
| Вес, г | 7.5 |