IKW15N120H3 [K15H1203], Транзистор IGBT, N-канальный, 1200 В, 30 А, 217 Вт, [TO-247]

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технические параметры

Технология/семейство	trench and fieldstop
Наличие встроенного диода	да
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25C, A	30
Импульсный ток коллектора (Icm), А	60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	217
Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс	21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс	260
Рабочая температура (Tj), C	-40…+175
Корпус	pg-to247-3
Вес, г	7.5