IKW15N120H3 [K15H1203], Транзистор IGBT, N-канальный, 1200 В, 30 А, 217 Вт, [TO-247]
![картинка IKW15N120H3 [K15H1203], Транзистор IGBT, N-канальный, 1200 В, 30 А, 217 Вт, [TO-247]](/upload/iblock/c46/c46d4965255aa37f86a502faf63f4d72.jpg "картинка IKW15N120H3 [K15H1203], Транзистор IGBT, N-канальный, 1200 В, 30 А, 217 Вт, [TO-247] являющийся официальным дистрибьютором в России")
260 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
Цена 260 руб. за 1 шт
Количество- Полное описание
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технические параметры
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 30 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 60 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 217 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 21 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 260 |
| Рабочая температура (Tj), C | -40…+175 |
| Корпус | pg-to247-3 |
| Вес, г | 7.5 |