IKW30N60T (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]
210 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
Цена 210 руб. за 1 шт
Количество- Полное описание
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технические параметры
Технология/семейство | trench and fieldstop |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25C, A | 45 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 90 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.05 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 187 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 23 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 254 |
Рабочая температура (Tj), C | -40…+175 |
Корпус | pg-to247-3 |
Вес, г | 7.5 |