IKW50N60H3 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технические параметры

Технология/семейство	trench and fieldstop
Наличие встроенного диода	да
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Максимальный ток КЭ при 25C, A	100
Импульсный ток коллектора (Icm), А	200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	333
Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс	23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс	235
Рабочая температура (Tj), C	-40…+175
Корпус	pg-to247-3
Вес, г	7.5