IKY75N120CH3 [K75MCH3], Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]
900 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
- Полное описание
Технические параметры
| Технология/семейство | high speed h3 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 150 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 300 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 938 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 38 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 303 |
| Рабочая температура (Tj), C | -40…+175 |
| Корпус | pg-to247-4-2 |
| Вес, г | 7.5 |


![картинка IKY75N120CH3 [K75MCH3], Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2] являющийся официальным дистрибьютором в России картинка IKY75N120CH3 [K75MCH3], Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]](/upload/iblock/06c/06ccb3bdd329f63e93541e87e1f2c575.jpg)