IRG4BC20FDPBF, Транзистор IGBT+ диод 600В 16А, [TO-220AB]

Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.

Технические параметры

Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Максимальный ток КЭ при 25C, A	16
Импульсный ток коллектора (Icm), А	64
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	60
Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс	43
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс	240
Рабочая температура (Tj), C	-55…+150
Корпус	TO-220AB
Вес, г	2.5