IRG4BC20FDPBF, Транзистор IGBT+ диод 600В 16А, [TO-220AB]
![картинка IRG4BC20FDPBF, Транзистор IGBT+ диод 600В 16А, [TO-220AB]](/upload/iblock/4ac/4ac2971e817d6b27413a97fec7a51078.jpg "картинка IRG4BC20FDPBF, Транзистор IGBT+ диод 600В 16А, [TO-220AB] являющийся официальным дистрибьютором в России")
110 руб.
- Производитель
- International Rectifier
Цена 110 руб. за 1 шт
Количество- Полное описание
Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Технические параметры
| Технология/семейство | gen4 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 16 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 64 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 60 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 43 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 240 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+150 |
| Корпус | TO-220AB |
| Вес, г | 2.5 |