BC856A-7-F, Биполярный транзистор, PNP, -65 В, 200 МГц, 300 мВт, -100 мА, 200 hFE
22 руб.
- Производитель
- Diodes Incorporated
- Полное описание
Small Signal PNP Transistors, Diodes Inc
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | -65В |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Рассеиваемая Мощность | 300мВт |
| Полярность Транзистора | pnp |
| DC Ток Коллектора | -100мА |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Частота Перехода ft | 200МГц |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,65 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 200 MHz |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,85 В |
| Длина | 3мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 В |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | DiodesZetex |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 65 V |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 300 мВт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -65 C |
| Ширина | 1.4мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
| Тип транзистора | PNP |
| Высота | 1.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | -5 V |
| Размеры | 3 x 1.4 x 1.1мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 125 |
| Вес, г | 0.008 |