BC546BTF, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 300 МГц, 500 мВт, 100 мА, 200 hFE
4 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
- Полное описание
The BC546BTF is a NPN epitaxial silicon Bipolar Transistor suitable for switching and amplifier applications.
• High voltage VCEO
• Complement to BC556
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 65В |
| Стиль Корпуса Транзистора | to-92 |
| Рассеиваемая Мощность | 500мВт |
| Полярность Транзистора | npn |
| DC Ток Коллектора | 100мА |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Частота Перехода ft | 300МГц |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 мВ |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 1 МГц |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 900 мВ |
| Длина | 4.58мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 65 V |
| Тип корпуса | TO-92 |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 3.86мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
| Тип транзистора | NPN-NO/NC |
| Высота | 4.58мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 4.58 x 3.86 x 4.58мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 110 |
| Вес, г | 0.635 |