2N7000, МОП-транзистор, N Канал, 200 мА, 60 В, 1.2 Ом, 10 В, 2.1 В
- Производитель
- ON Semiconductor
- Полное описание
2N7000 является N-канальным полевым транзистором с режимом обогащения, который был изготовлен при помощи DMOS технологии высокой плотности элемента от компании Fairchild' Данный процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечивая надежную производительность. Он может быть использован в различных системах, которым необходим DC ток до 400мА и импульсный ток на выходе до 2А. Он также подходит для низковольтных, слаботочных устройств, как схемы управления маленькими серводвигателями, драйверы затвора силовых МОП-транзисторов и других коммутационных устройствах.
• Управляемый напряжением переключатель маленьких сигналов
• Прочный и надежный
• Высокая степень насыщения по току
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | to-92 |
| Рассеиваемая Мощность | 400мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 200ма |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.2Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.1В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 5.2мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальный непрерывный ток стока | 200 mA |
| Тип корпуса | TO-92 |
| Максимальное рассеяние мощности | 400 мВт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 4.19мм |
| Высота | 5.33мм |
| Minimum Gate Threshold Voltage | -0.8V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 5 ? |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 5.2 x 4.19 x 5.33мм |
| Категория | Малый сигнал |
| Материал транзистора | Кремний |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 20 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.225 |