NJD35N04T4G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 350 В, 45 Вт, 4 А, 300 hFE, TO-252
87 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
- Полное описание
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 350В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252 |
| Рассеиваемая Мощность | 45Вт |
| Полярность Транзистора | Двойной NPN |
| DC Ток Коллектора | 4А |
| DC Усиление Тока hFE | 300hFE |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1,5 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 2 В |
| Длина | 6.73мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 700 В |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Максимальный запирающий ток коллектора | 250mA |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 350 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 4 А |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
| Максимальное рассеяние мощности | 45 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -65 C |
| Ширина | 7.49мм |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 2.38мм |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Размеры | 6.73 x 7.49 x 2.38мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 2000 |
| Вес, г | 0.426 |