NST65010MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, -65 В, 380 мВт, -100 мА, 0.9 hFE, SOT-363
43 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
- Полное описание
Dual Matched Bipolar Transistors, ON Semiconductor
Pairs of NPN or PNP bipolar transistors in a single package matched for Base-Emitter voltage (V BE ) and Current Gain (h FE ).
Pairs of NPN or PNP bipolar transistors in a single package matched for Base-Emitter voltage (V BE ) and Current Gain (h FE ).
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | -65В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Рассеиваемая Мощность | 380мВт |
| Полярность Транзистора | Двойной PNP |
| DC Ток Коллектора | -100мА |
| DC Усиление Тока hFE | 0.9hFE |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -650 mV |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 100 МГц |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | -900 mV |
| Длина | 2.2мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 В |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 65 V |
| Тип корпуса | SOT-363 (SC-88) |
| Максимальное рассеяние мощности | 380 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.35мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
| Тип транзистора | PNP |
| Высота | 1мм |
| Число контактов | 6 |
| Размеры | 2.2 x 1.35 x 1мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | -5 V |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 220 |
| Вес, г | 2 |