STGP5H60DF, БТИЗ транзистор, 10 А, 1.5 В, 88 Вт, 600 В, TO-220AB, 3 вывод(-ов)
120 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
- Полное описание
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600в |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Рассеиваемая Мощность | 88Вт |
| DC Ток Коллектора | 10а |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.5В |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Length | 10.4mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | STMicroelectronics |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 10 A |
| Package Type | TO-220 |
| Maximum Power Dissipation | 88 W |
| Energy Rating | 221J |
| Mounting Type | Through Hole |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Width | 4.6mm |
| Height | 15.75mm |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Channel Type | N |
| Gate Capacitance | 855pF |
| Вес, г | 2.3 |