STGB10M65DF2, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.55 В, 115 Вт, 650 В, TO-263, 3 вывод(-ов)
310 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
- Полное описание
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263 |
| Рассеиваемая Мощность | 115Вт |
| DC Ток Коллектора | 20А |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Length | 10.4mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | STMicroelectronics |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
| Package Type | D2PAK (TO-263) |
| Maximum Power Dissipation | 115 W |
| Energy Rating | 0.66mJ |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Width | 9.35mm |
| Height | 4.6mm |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions | 10.4 x 9.35 x 4.6mm |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Channel Type | N |
| Gate Capacitance | 840pF |
| Вес, г | 2 |