STGB20NB41LZT4, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.3 В, 200 Вт, 412 В, TO-263, 3 вывод(-ов)
460 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
- Полное описание
The STGB20NB41LZT4 is an internally clamped PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The built-in collector-gate Zener exhibits a very precise active clamping while the gate-emitter Zener supplies an ESD protection.
• Polysilicon gate voltage driven
• Low threshold voltage
• Low on-voltage drop
• Low gate charge
• High current capability
• High voltage clamping
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 412В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263 |
| Рассеиваемая Мощность | 200Вт |
| DC Ток Коллектора | 40А |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.3В |
| Вес, г | 0.1 |