NTHD4508NT1G, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 4.1 А, 20 В, 0.06 Ом, 4.5 В, 1.2 В
Вопросы о наличии, цене, фасовке и характеристиках
принимаем ТОЛЬКО по почте info@npfatlas.ru
Работаем только с юр. лицами и ИП. Заявки на info@npfatlas.ru
Контакты
NTHD4508NT1G, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 4.1 А, 20 В, 0.06 Ом, 4.5 В, 1.2 В

NTHD4508NT1G, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 4.1 А, 20 В, 0.06 Ом, 4.5 В, 1.2 В

картинка NTHD4508NT1G, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 4.1 А, 20 В, 0.06 Ом, 4.5 В, 1.2 В
52 руб.
Производитель
ON Semiconductor

Цена 52 руб. за 1 шт

Количество
Заказать
  • Полное описание

The NTHD4508NT1G is a ChipFET™ dual N-channel Power MOSFET designed for battery and low side switching in portable equipment such as MP3 players, cell phones, DSCs and PDAs. It is suitable for DC-to-DC buck/boost converter and level shifting applications.

• Low RDS (ON) and fast switching
• Excellent thermal capabilities where heat transfer is required

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов8вывод(-ов)
Стиль Корпуса ТранзистораChipFET
Рассеиваемая Мощность2.1Вт
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds20В
Непрерывный Ток Стока4.1А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.06Ом
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Пороговое Напряжение Vgs1.2В
Maximum Operating Temperature+150 C
Number of Elements per Chip1
Length3.1mm
Transistor ConfigurationSingle
BrandON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current4.1 A
Package TypeChipFET
Maximum Power Dissipation2.1 W
Mounting TypeSurface Mount
Minimum Operating Temperature-55 C
Width1.7mm
Maximum Gate Threshold Voltage1.2V
Height1.1mm
Maximum Drain Source Resistance115 m?
Maximum Drain Source Voltage20 V
Pin Count8
Typical Gate Charge @ Vgs2.6 nC @ 4.5 V
Transistor MaterialSi
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Maximum Gate Source Voltage-12 V, +12 V
Вес, г0.005