NTHD4508NT1G, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 4.1 А, 20 В, 0.06 Ом, 4.5 В, 1.2 В
52 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Цена 52 руб. за 1 шт
Количество- Полное описание
The NTHD4508NT1G is a ChipFET™ dual N-channel Power MOSFET designed for battery and low side switching in portable equipment such as MP3 players, cell phones, DSCs and PDAs. It is suitable for DC-to-DC buck/boost converter and level shifting applications.
• Low RDS (ON) and fast switching
• Excellent thermal capabilities where heat transfer is required
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Транзистора | ChipFET |
Рассеиваемая Мощность | 2.1Вт |
Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
Непрерывный Ток Стока | 4.1А |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.06Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Length | 3.1mm |
Transistor Configuration | Single |
Brand | ON Semiconductor |
Maximum Continuous Drain Current | 4.1 A |
Package Type | ChipFET |
Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
Mounting Type | Surface Mount |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Width | 1.7mm |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
Height | 1.1mm |
Maximum Drain Source Resistance | 115 m? |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Pin Count | 8 |
Typical Gate Charge @ Vgs | 2.6 nC @ 4.5 V |
Transistor Material | Si |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
Вес, г | 0.005 |