FDG8842CZ, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 750 мА, 30 В, 0.25 Ом, 4.5 В, 1 В
Вопросы о наличии, цене, фасовке и характеристиках
принимаем ТОЛЬКО по почте info@npfatlas.ru
Работаем только с юр. лицами и ИП. Заявки на info@npfatlas.ru
Контакты
FDG8842CZ, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 750 мА, 30 В, 0.25 Ом, 4.5 В, 1 В

FDG8842CZ, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 750 мА, 30 В, 0.25 Ом, 4.5 В, 1 В

картинка FDG8842CZ, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 750 мА, 30 В, 0.25 Ом, 4.5 В, 1 В
46 руб.
Производитель
ON Semiconductor

Цена 46 руб. за 1 шт

Количество
Заказать
  • Полное описание

The FDG8842CZ is a dual N/P-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.

• Very small package outline
• Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <,1.5V)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов6вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистораsc-70
Рассеиваемая Мощность380мВт
Полярность ТранзистораN и P Канал
Напряжение Истока-стока Vds30В
Непрерывный Ток Стока750мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.25Ом
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г0.033