FDG8842CZ, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 750 мА, 30 В, 0.25 Ом, 4.5 В, 1 В
46 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Цена 46 руб. за 1 шт
Количество- Полное описание
The FDG8842CZ is a dual N/P-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
• Very small package outline
• Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <,1.5V)
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Транзистора | sc-70 |
Рассеиваемая Мощность | 380мВт |
Полярность Транзистора | N и P Канал |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 750мА |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.25Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
Вес, г | 0.033 |