FOD817DS, Оптопара, с транзистором на выходе, 1 канал, Поверхностный Монтаж DIP, 4 вывод(-ов), 50 мА, 5 кВ
Вопросы о наличии, цене, фасовке и характеристиках
принимаем ТОЛЬКО по почте info@npfatlas.ru
Работаем только с юр. лицами и ИП. Заявки на info@npfatlas.ru
Контакты
FOD817DS, Оптопара, с транзистором на выходе, 1 канал, Поверхностный Монтаж DIP, 4 вывод(-ов), 50 мА, 5 кВ

FOD817DS, Оптопара, с транзистором на выходе, 1 канал, Поверхностный Монтаж DIP, 4 вывод(-ов), 50 мА, 5 кВ

картинка FOD817DS, Оптопара, с транзистором на выходе, 1 канал, Поверхностный Монтаж DIP, 4 вывод(-ов), 50 мА, 5 кВ
45 руб.
Производитель
ON Semiconductor

Цена 45 руб. за 1 шт

Количество
Заказать
  • Полное описание

The FOD817DS is a 1-channel 4-pin surface-mount high operating temperature Phototransistor Optocoupler consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor. It is suitable for digital logic input and microprocessor input.

• Applicable to Pb-free IR reflow soldering
• Minimum BVCEO of 70V guaranteed
• 50mA Continuous forward current
• -55 to +110°C Operating temperature range

Оптоэлектроника и Дисплеи\Оптопары\Оптопары с Транзисторным Выходом



Технические параметры

Количество каналов1 канал
Количество Выводов4вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер70В
Напряжение Изоляции5кВ
Стиль Корпуса ОптопарыПоверхностный Монтаж DIP
Максимальный Прямой Ток50мА
Мин. CTR300%
Количество каналов1
Максимальный ток на входе50 мА
Максимальный коэффициент передачи по току600%
Типичное время нарастания18мкс
ПроизводительON Semiconductor
Тип корпусаMDIP
Напряжение изоляции5000 В (среднеквадратичное значение)
Количество контактов4
Тип входного токаПост. ток
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Максимальное прямое напряжение1.4V
Типичное время затухания18мкс
Выходное устройствоФототранзистор
Вес, г0.72