BAS32L.115, Диод высокоскоростной 0.2А 75В 4нс [SOD-80C]
3 руб.
- Производитель
- NXP Semiconductor
- Полное описание
Small Signal Switching Diodes, Nexperia
Технические параметры
| Материал | кремний |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 75 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.2 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.45 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 5 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 0.75 |
| при Iпр.,А | 0.005 |
| Максимальное время обратного восстановления,мкс | 0.004 |
| Общая емкость Сд,пФ | 2 |
| Рабочая температура,С | -65…200 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | sod80c |
| Вес, г | 0.09 |


![картинка BAS32L.115, Диод высокоскоростной 0.2А 75В 4нс [SOD-80C] являющийся официальным дистрибьютором в России картинка BAS32L.115, Диод высокоскоростной 0.2А 75В 4нс [SOD-80C]](/upload/iblock/6cf/6cf236d00f62cdf04ff76d9f51615b85.jpg)