FF200R12KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 295 А, 1.7 В, 1.05 кВт, 1.2 кВ, Module
10 130 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
- Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Рассеиваемая Мощность | 1.05кВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| DC Ток Коллектора | 295А |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Вес, г | 18.6 |