MD120HFR120C2S, МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 200 А, 1.2 кВ, 0.01 Ом, 18 В, 5.6 В
47 980 руб.
- Производитель
- STARPOWER
- Полное описание
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 200А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.01Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.6В |
| Вес, г | 5 |