Яндекс.Метрика
Вопросы о наличии, цене, фасовке и характеристиках
принимаем ТОЛЬКО по почте info@npfatlas.ru
Работаем только с юр. лицами и ИП. Заявки на info@npfatlas.ru
Контакты

MD400HFR120C2S, МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 542 А, 1.2 кВ, 0.0033 Ом, 18 В, 5.6 В

картинка MD400HFR120C2S, МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 542 А, 1.2 кВ, 0.0033 Ом, 18 В, 5.6 В
102 970 руб.
Производитель
STARPOWER
Заказать
  • Полное описание

Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds1.2кВ
Непрерывный Ток Стока542А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0033Ом
Напряжение Измерения Rds(on)18В
Пороговое Напряжение Vgs5.6В
Вес, г5