IPD600N25N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 250 В, 0.051 Ом, 10 В, 3 В
- Производитель
- Infineon Technologies
- Полное описание
The IPD600N25N3 G is a 250V N-channel Power MOSFET ideally suited for high-frequency switching, achieving excellent performance in applications such as synchronous rectification for AC-DC SMPS and motor control. The OptiMOS™ MOSFET is optimized for hard commutation ruggedness, achieving low Qrr and lower peak reverse recovery charges. It is performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.
• Highest efficiency
• Highest power density
• Lowest board space consumption
• Minimal device paralleling required
• System cost improvement
• Environmentally-friendly
• Easy to design in
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252 |
| Рассеиваемая Мощность | 136Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 250в |
| Непрерывный Ток Стока | 25А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.051Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Вес, г | 0.3 |