BSO615CGHUMA1, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 3.1 А, 60 В, 0.07 Ом, 10 В, 1.6 В
110 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
- Полное описание
The BSO615C G is a SIPMOS® dual N/P-channel enhancement-mode Small Signal Transistor for DC-to-DC converter and on-board charger applications. It is a complementary MOSFET with n-channel and a p-channel power transistor within the same package.
• Avalanche rated
• Logic level
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Полярность Транзистора | N и P Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 3.1А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.07Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Вес, г | 0.5 |