BSO220N03MDGXUMA1, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 6 А, 30 В, 0.0183 Ом, 10 В, 2.1 В
85 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
- Полное описание
The BSO220N03MD G is a dual N-channel MOSFET optimized for 5V driver application (notebook, VGA and POL) and qualified for consumer level application. The ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages make OptiMOS™ power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in server, data-com and telecom applications.
• Low FOMSW for high frequency SMPS
• 100% Avalanche tested
• Very low ON-resistance
• Excellent gate charge
• Halogen-free
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | DSO |
| Рассеиваемая Мощность | 1.4Вт |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 6А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0183Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.1В |
| Вес, г | 0.006 |