L6699D, Усовершенствованный высоковольтный резонансный контроллер, 8.85В до 16В вход, SOIC-16
Вопросы о наличии, цене, фасовке и характеристиках
принимаем ТОЛЬКО по почте info@npfatlas.ru
Работаем только с юр. лицами и ИП. Заявки на info@npfatlas.ru
Контакты
L6699D, Усовершенствованный высоковольтный резонансный контроллер, 8.85В до 16В вход, SOIC-16

L6699D, Усовершенствованный высоковольтный резонансный контроллер, 8.85В до 16В вход, SOIC-16

картинка L6699D, Усовершенствованный высоковольтный резонансный контроллер, 8.85В до 16В вход, SOIC-16
250 руб.
Производитель
ST Microelectronics

Цена 250 руб. за 1 шт

Количество
Заказать
  • Полное описание

The L6699D is a double-ended enhanced high voltage Resonant Controller specific to series-resonant half bridge topology. Both LLC and LCC configurations are supported. It provides symmetrical complementary duty cycle: the high-side switch and the low-side switch are driven ON/OFF 180° out-of phase for exactly the same time. Output voltage regulation is obtained by modulating the operating frequency. The dead-time inserted between the turn-OFF of one switch and the turn-ON of the other one is automatically adjusted to best fit the transition times of the half bridge midpoint. To drive the high-side switch with the bootstrap approach, the IC incorporates a high voltage floating structure able to withstand more than 600V with a synchronous-driven high voltage DMOS that replaces the external fast-recovery bootstrap diode. The IC enables the user to set the operating frequency range of the converter by means of a high-accuracy externally programmable oscillator.

• Symmetrical duty cycle, variable frequency control of resonant half bridge
• Self-adjusting adaptive deadtime
• High-accuracy oscillator
• 2-level OCP - Frequency-shift and immediate shutdown
• Interface with PFC controller
• Anti-capacitive-mode protection
• Burst-mode operation at light load
• Input for brownout protection or power-on/off sequencing
• Safe-start procedure prevents hard switching at startup
• 600V - Rail compatible high-side gate driver with integrated bootstrap diode and high dv/dt immunity
• -300/800mA high-side and low-side gate drivers with UVLO pull-down

Полупроводники - Микросхемы\Специальные Функции



Технические параметры

Минимальная Рабочая Температура-40 C
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное Напряжение Питания16В
Минимальное Напряжение Питания8.85В
Количество Выводов16вывод(-ов)
Тип Корпуса ИСSOIC
Максимальная рабочая температура+150 C
ТопологияПолумост
Длина10мм
Время нарастания60нс
Контакт вкл./выкл.Yes
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип корпусаSOIC
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура-40 C
Ширина4мм
Время спада30нс
Высота1.5мм
Максимальная частота преобразования245 кГц
Число контактов16
Размеры10 x 4 x 1.5мм
Синхронный контактYes
Типичное рабочее напряжение питания8,85 ? 16 В
Вес, г0.638