Яндекс.Метрика
Вопросы о наличии, цене, фасовке и характеристиках
принимаем ТОЛЬКО по почте info@npfatlas.ru
Работаем только с юр. лицами и ИП. Заявки на info@npfatlas.ru
Контакты

FOD3182, Оптопара, с драйвером затвора на выходе, 1 канал, DIP, 8 вывод(-ов), 5 кВ

картинка FOD3182, Оптопара, с драйвером затвора на выходе, 1 канал, DIP, 8 вывод(-ов), 5 кВ
210 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
  • Полное описание

The FOD3182 is a 3A output current high-speed MOSFET Gate Drive Optocoupler consists of an aluminium gallium arsenide (AlGaAs) LED (LED) optically coupled to a CMOS detector with PMOS and NMOS output power transistors integrated circuit power stage. It is ideally suited for high frequency driving of power MOSFETS used in Plasma Display Panels (PDPs), motor control inverter applications and high performance DC-DC converters. The device is packaged in an 8-pin dual in-line housing compatible with 260°C reflow processes for lead free solder compliance. High noise immunity characterized by 50kV/µs (typical) common mode rejection. Use of P-Channel MOSFETs at output stage enables output voltage swing close to the supply rail (rail-to-rail output). Undervoltage lockout protection (UVLO) with hysteresis, optimized for driving MOSFETs.

• 3A Minimum peak output current
• Fast switching speed
• 210ns maximum propagation delay
• 65ns maximum pulse width distortion
• Fast output rise/fall time
• Offers lower dynamic power dissipation
• 250kHz maximum switching speed
• Wide Vcc operating range from 10 to 30V
• 5000Vrms for one minute Isolation
• Minimum creepage distance of 8mm
• Minimum clearance distance of 10mm to 16mm (option TV or TSV)
• Minimum insulation thickness of 0.5mm
• RDS (ON) of 1.5R (typical) offers lower power dissipation
• 10kV/m Minimum common mode rejection

Оптоэлектроника и Дисплеи\Оптопары\Оптопары с Вентильным Выходом



Технические параметры

Количество каналов1 канал
Количество Выводов8вывод(-ов)
Напряжение Изоляции5кВ
Стиль Корпуса Оптопарыdip
Количество каналов1
Максимальный ток на входе25 мА
Типичное время нарастания38нс
ПроизводительON Semiconductor
Тип корпусаMDIP
Напряжение изоляции5000 В (среднеквадратичное значение)
Количество контактов8
Тип входного токаПост. ток
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Максимальное прямое напряжение1.8V
Типичное время затухания24нс
Выходное устройствоMOSFET
Вес, г1.633