Яндекс.Метрика
Вопросы о наличии, цене, фасовке и характеристиках
принимаем ТОЛЬКО по почте info@npfatlas.ru
Работаем только с юр. лицами и ИП. Заявки на info@npfatlas.ru
Контакты

H11G2M, Оптопара, с выходом Дарлингтона, 1 канал, DIP, 6 вывод(-ов), 60 мА, 7.5 кВ, 500 %

картинка H11G2M, Оптопара, с выходом Дарлингтона, 1 канал, DIP, 6 вывод(-ов), 60 мА, 7.5 кВ, 500 %
87 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
  • Полное описание

The H11G2M is a 80V 6-pin DIP high voltage photodarlington-type Optically Coupled Optocoupler consist of gallium arsenide infrared emitting diode coupled with a silicon Darlington connected phototransistor which has an integral base-emitter resistor to optimize elevated temperature characteristics.

• High sensitivity to low input current (minimum 500% CTR at IF= 1mA)
• Low leakage current at elevated temperature (maximum 100µA at 80°C)

Оптоэлектроника и Дисплеи\Оптопары\Оптопары с Выходом Дарлингтона



Технические параметры

Количество каналов1 канал
Количество Выводов6вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер80В
Напряжение Изоляции7.5кВ
Стиль Корпуса Оптопарыdip
Максимальный Прямой Ток60мА
Мин. CTR500%
Количество каналов1
Максимальный ток на входе60 mA
Максимальный коэффициент передачи по току1000%
ПроизводительON Semiconductor
Тип корпусаDIP
Напряжение изоляции7500 В перем. тока
Logic OutputYes
Количество контактов6
Тип входного токаПост.ток
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Максимальное прямое напряжение1.5V
Выходное устройствоФототранзистор
Вес, г0.907