SKM100GB063D

IGBT MODULE, DUAL, 600V Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 130A Voltage, Vce Sat Max 2.5V Case Style SEMITRANS 2 Termination Type Screw Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600V Current Ic Continuous b Max 100A Current Ic av 130A Current, Icm Pulsed 100A External Depth 35mm Fixing Centres 80mm Fixing Hole Diameter 6.4mm SMD Marking SEMITRANS 2 Temperature, Current 25C Time, Rise 40ns Transistors, No. of 2 Width, External 90mm Voltage 600V
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 600 В, Рабочий ток при 25°C 100 А

IGBT силовой модуль
Кол-во в упаковке: 8

Технические параметры

Максимальная рабочая температура	+150 C
Длина	94мм
Transistor Configuration	Полумост
Производитель	Semikron
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)	600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора	130 А
Тип корпуса	SEMITRANS2
Тип монтажа	Винтовой монтаж
Минимальная рабочая температура	-40 C
Ширина	34мм
Number of Transistors	2
Высота	30.5мм
Число контактов	7
Размеры	94 x 34 x 30.5мм
Конфигурация	Двойной
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20V
Тип канала	N
Вес, г	159.7