SKM100GB12T4

IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 2], Схема: GB, Напряжение: 1.2 кВ, Ток: 100 А, Технология: IGBT 4 Fast (Trench), Ключей: 2

Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А

IGBT силовой модуль
Кол-во в упаковке: 8

Технические параметры

Максимальная рабочая температура	+175 C
Длина	94мм
Transistor Configuration	Серия
Производитель	Semikron
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)	1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора	160 A
Тип корпуса	SEMITRANS2
Тип монтажа	Монтаж на панель
Минимальная рабочая температура	-40 C
Ширина	34мм
Высота	30.1мм
Число контактов	7
Размеры	94 x 34 x 30.1мм
Конфигурация	Двойной полумост
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20V
Тип канала	N
Вес, г	159.7