SKM100GB176D

Силовой IGBT-модуль, полумост, SEMITRANS2.

Технические характеристики:

Напряжение К-Э: 1700 В,

Номинальный ток: 75 А,

Напряжение насыщения К-Э при 25 °C: 2 В,

Технология: IGBT 3 (Trench),

Конфигурация: полумост,

Корпус: D61

Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.7 кВ, Рабочий ток при 25°C 75 А

IGBT силовой модуль
Кол-во в упаковке: 8

Технические параметры

Maximum Operating Temperature	+150 C
Length	94mm
Transistor Configuration	Series
Brand	Semikron
Maximum Collector Emitter Voltage	1700 V
Maximum Continuous Collector Current	125 A
Package Type	SEMITRANS2
Mounting Type	Panel Mount
Minimum Operating Temperature	-40 C
Width	34mm
Height	30.5mm
Pin Count	7
Dimensions	94 x 34 x 30.5mm
Configuration	Dual Half Bridge
Maximum Gate Emitter Voltage	20V
Channel Type	N
Вес, г	159.7