STGE200NB60S
1 600 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
- Полное описание
IGBT транзистор - [ISOTOP], Uкэ.макс: 600 В, Iк@25C: 150 А, Uкэ.нас: 1.2 В
Кол-во ключей в модуле 1.2, Напряжение К-Э 600 В, Рабочий ток при 25°C 200 А
Кол-во ключей в модуле 1.2, Напряжение К-Э 600 В, Рабочий ток при 25°C 200 А
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
Корпус: ISOTOP, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 600 B, 200 А, 600 Вт
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Длина | 38.2мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 600 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 200 A |
| Тип корпуса | ISOTOP |
| Тип монтажа | Монтаж на панель |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 25.5мм |
| Высота | 9.1мм |
| Число контактов | 4 |
| Размеры | 38.2 x 25.5 x 9.1мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20V |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 10 |