BSM50GD120DN2BOSA1
9 420 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
- Полное описание
Модуль IGBT, 3-фазный мост, 1200 В, 72 А, 350 Вт, EconoPACK
Технические характеристики:
Напряжение К-Э: 1200 В,
Ток коллектора: 72 А,
Напряжение насыщения К-Э при 25°C: 2.5 В,
Ток утечки: 200 нА,
Мощность раcсеивания: 350 Вт,
Конфигурация: 3-фазный мост,
Корпус: EconoPACK
Технические характеристики:
Напряжение К-Э: 1200 В,
Ток коллектора: 72 А,
Напряжение насыщения К-Э при 25°C: 2.5 В,
Ток утечки: 200 нА,
Мощность раcсеивания: 350 Вт,
Конфигурация: 3-фазный мост,
Корпус: EconoPACK
IGBT силовой модуль
Кол-во в упаковке: 10
Технические параметры
| Вес, г | 218.6 |


