Яндекс.Метрика
Вопросы о наличии, цене, фасовке и характеристиках
принимаем ТОЛЬКО по почте info@npfatlas.ru
Работаем только с юр. лицами и ИП. Заявки на info@npfatlas.ru
Контакты

FF100R12RT4

картинка FF100R12RT4
5 570 руб.
Производитель
Infineon Technologies
Заказать
  • Полное описание
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBTs can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
Корпус: 34 mm, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт


Технические параметры

Максимальная рабочая температура+150 C
Длина94мм
Transistor ConfigurationСерия
ПроизводительInfineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора100 А
Тип корпусаAG-34MM-1
Максимальное рассеяние мощности555 Вт
Тип монтажаPanel Mount
Минимальная рабочая температура-40 C
Ширина34мм
Высота30.2мм
Размеры94 x 34 x 30.2мм
КонфигурацияСерия
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20V
Тип каналаN
Вес, г180