PMBFJ309.215, Транзистор MOSFET N-CH 25V 30MA 50 Ohm [SOT-23-3]
8 руб.
- Производитель
- NXP Semiconductor
- Полное описание
Корпус TO236
Технические параметры
| Структура | n-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 25 |
| Ток утечки (Idss), мА | 12…30 |
| при Vds, В (Vgs=0) | 10 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 1…4 |
| при Id, нА | 1000 |
| Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 50(typ) |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.25 |
| Рабочая температура (Tj), C | -65…+150 |
| Корпус | sot-23 |
| Вес, г | 0.05 |


![картинка PMBFJ309.215, Транзистор MOSFET N-CH 25V 30MA 50 Ohm [SOT-23-3] являющийся официальным дистрибьютором в России картинка PMBFJ309.215, Транзистор MOSFET N-CH 25V 30MA 50 Ohm [SOT-23-3]](/upload/iblock/ae1/ae1efc4073a1889328568a4fb37985a4.jpg)