J175-D26Z, Полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -60 мА [TO-92]
![картинка J175-D26Z, Полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -60 мА [TO-92]](/upload/iblock/08a/08aae711c8c5e893c9f29fe8f673562a.jpg "картинка J175-D26Z, Полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -60 мА [TO-92] являющийся официальным дистрибьютором в России")
44 руб.
- Производитель
- Fairchild Semiconductor
- Полное описание
Технические параметры
| Структура | p-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 30 |
| Ток утечки (Idss), мА | 7…60 |
| при Vds, В (Vgs=0) | 15 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 3…6 |
| при Id, нА | 10 |
| Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 125(max) |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.35 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+150 |
| Корпус | to-92 formed leads |