GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
![картинка GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]](/upload/iblock/3ae/3aedac3126c156da732af34b4cdee133.jpg "картинка GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN] являющийся официальным дистрибьютором в России")
92 руб.
- Производитель
- Toshiba
- Полное описание
Технические параметры
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 50 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 230 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 250 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 330 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+175 |
| Корпус | to-3p(n) |
| Вес, г | 6.5 |