GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
92 руб.
- Производитель
- Toshiba
Цена 92 руб. за 1 шт
Количество- Полное описание
Технические параметры
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25C, A | 50 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.55 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 230 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 250 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 330 |
Рабочая температура (Tj), C | -55…+175 |
Корпус | to-3p(n) |
Вес, г | 6.5 |