GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]
![картинка GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]](/upload/iblock/b82/b82756f2e73e0f9c0ca29afb1a8b465f.jpg "картинка GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C] являющийся официальным дистрибьютором в России")
280 руб.
- Производитель
- Toshiba
- Полное описание
Технические параметры
| Технология/семейство | gen4 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1000 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 60 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 170 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 330 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 700 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+150 |
| Корпус | 2-21f2c |
| Вес, г | 9.8 |