STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [D-PAK]
82 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
- Полное описание
IGBT транзистор - [TO-252-3], Uкэ.макс: 420 В, Iк@25C: 25 А, Uкэ.нас: 1.3 В
Корпус TO252, Напряжение К-Э максимальное 420 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 25 А, Напряжение насыщения К-Э 1.7 В, Максимальная мощность 125 Вт, Заряд затвора 29 нКл, Тип входа логический
Корпус TO252, Напряжение К-Э максимальное 420 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 25 А, Напряжение насыщения К-Э 1.7 В, Максимальная мощность 125 Вт, Заряд затвора 29 нКл, Тип входа логический
Технические параметры
| Технология/семейство | powermesh, internally clamped |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 420 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 25 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 40 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 125 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 650 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 13500 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+175 |
| Корпус | d-pak |
| Вес, г | 0.4 |


![картинка STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [D-PAK] являющийся официальным дистрибьютором в России картинка STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [D-PAK]](/upload/iblock/18d/18df199d2d9a5a08bbc159f9d5c789b9.jpg)