STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220]
![картинка STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220]](/upload/iblock/49b/49b901985f230f11929525d92ac69126.jpg "картинка STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220] являющийся официальным дистрибьютором в России")
85 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
- Полное описание
The STGP10NC60KD is a 600V short-circuit rugged IGBT that utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. The IGBT is ideal for use in SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses.
• Lower on-voltage drop
• Lower CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode
• 10µs Short-circuit withstand time
• Low VCE (sat) for reduced conduction losses
• Tight parameter distribution for design simplification and easy paralleling
Технические параметры
| Технология/семейство | powermesh |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 20 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 30 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 65 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 17 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 72 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+150 |
| Корпус | to-220 |
| Вес, г | 2.5 |