STGW20NC60VD, IGBT 50КГц/30А/600В диод, [TO-247]
![картинка STGW20NC60VD, IGBT 50КГц/30А/600В диод, [TO-247]](/upload/iblock/f55/f555577562e93eb9b7f4ecd2a57e7e3b.jpg "картинка STGW20NC60VD, IGBT 50КГц/30А/600В диод, [TO-247] являющийся официальным дистрибьютором в России")
120 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
- Полное описание
The STGW20NC60VD is a 600V very fast IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. It is suitable for use with high frequency inverters, UPS, motor drive, SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies.
• High current capability
• High frequency operation up to 50KHz
• Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode
• ±20V Gate to emitter voltage
• 0.63°C/W IGBT thermal resistance, junction to case
• 1.5°C/W IGBT thermal resistance, junction to case
• 50°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Технические параметры
| Технология/семейство | powermesh |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 60 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 150 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 200 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 31 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 100 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+150 |
| Корпус | to-247 |
| Вес, г | 7.5 |