STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
![картинка STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]](/upload/iblock/72a/72a227d50198e37893af4de5c77cd6bd.jpg "картинка STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247] являющийся официальным дистрибьютором в России")
310 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
- Полное описание
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Технические параметры
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 80 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 240 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 375 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 60 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 208 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+175 |
| Корпус | to-247 |
| Вес, г | 7.5 |